Nitride semiconductor device, and manufacturing method for same

WO2015056745 Art A1 23. April 2015

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015056745
Aktenzeichen: EP14854555
Anmeldetag: 16. Oktober 2014
Veröffentlichung: 23. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872H01L21/337H01L21/338H01L29/04H01L29/06H01L29/12H01L29/41H01L29/47H01L29/778H01L29/78H01L29/808H01L29/812H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von