Nitride semiconductor device, method for manufacturing same, diode, and field effect transistor
WO2015056797
Art A1
23. April 2015
Anmelder: Furukawa Electric Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015056797
- Aktenzeichen
- EP14854168
- Anmeldetag
- 17. Oktober 2014
- Veröffentlichung
- 23. April 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/41H01L21/338H01L29/06H01L29/47H01L29/778H01L29/812H01L29/861H01L29/868H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Furukawa Electric Co. Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Furukawa Electric
Furukawa Electric ist ein japanischer Hersteller von Glasfaserkabeln, elektronischen Bauteilen und Kupferprodukten für die Telekommunikations- und Automobilindustrie.
1.631 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.