Semiconductor structures including molybdenum nitride, molybdenum oxynitride or molybdenum-based alloy material, and method of making such structures

WO2015057508 Art A1 23. April 2015

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015057508
Aktenzeichen: EP14854383
Anmeldetag: 10. Oktober 2014
Veröffentlichung: 23. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L27/108H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von