Liquid composition for forming lead-free dielectric thin film, method for forming said thin film, and lead-free dielectric thin film formed by said method

WO2015060003 Art A1 30. April 2015

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, Tokyo Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015060003
Aktenzeichen: EP14856232
Anmeldetag: 27. August 2014
Veröffentlichung: 30. April 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01B3/00C04B35/00C04B35/468H01B3/12H01G4/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Materials Corporation
Tokyo Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.413 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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