Magnetoresistance effect element and magnetic memory

WO2015060239 Art A1 30. April 2015

Anmelder: Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2015060239
Aktenzeichen
EP14854919
Anmeldetag
20. Oktober 2014
Veröffentlichung
30. April 2015
Rechtsraum
WO
IPC
H01L43/08G11C11/15H01L21/8246H01L27/105H01L29/82
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Tohoku University
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

2.166 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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