Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for same

WO2015064256 Art A1 7. Mai 2015

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015064256
Aktenzeichen: EP14858478
Anmeldetag: 26. September 2014
Veröffentlichung: 7. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872H01L21/20H01L21/265H01L21/28H01L21/322H01L21/329H01L29/06H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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