Junction modulation-type tunnelling field effect transistor and preparation method therefor

WO2015066971 Art A1 14. Mai 2015

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015066971
Aktenzeichen: EP14860999
Anmeldetag: 9. Januar 2014
Veröffentlichung: 14. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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