Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

WO2015068475 Art A1 14. Mai 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015068475
Aktenzeichen: EP14860770
Anmeldetag: 18. September 2014
Veröffentlichung: 14. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L21/66H01L29/12H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von