Magnetoresistive effect element, magnetic memory and magnetic storage method

WO2015068509 Art A1 14. Mai 2015

Anmelder: NEC Corporation, Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015068509
Aktenzeichen: EP14861057
Anmeldetag: 30. September 2014
Veröffentlichung: 14. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246G11C11/15H01L27/105H01L29/82H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

27.370 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von