Method for suppressing leakage current of tunnel field-effect transistor, corresponding device, and manufacturing method
WO2015070528
Art A1
21. Mai 2015
Anmelder: Peking University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015070528
- Aktenzeichen
- EP14862193
- Anmeldetag
- 9. Januar 2014
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/06H01L29/36H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Peking University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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