Three-face source tunnel field-effect transistor and manufacturing method therefor

WO2015070555 Art A1 21. Mai 2015

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015070555
Aktenzeichen: EP14862479
Anmeldetag: 31. März 2014
Veröffentlichung: 21. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/08H01L21/331H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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