Group iii-nitride composite substrate and manufacturing method for same, layered group iii-nitride composite substrate, and group iii-nitride semiconductor device and manufacturing method for same

WO2015072214 Art A1 21. Mai 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015072214
Aktenzeichen: EP14862267
Anmeldetag: 4. September 2014
Veröffentlichung: 21. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20H01L21/329H01L27/12H01L29/47H01L29/861H01L29/868H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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