Silicon carbide single crystal production method, and silicon carbide single crystal production device

WO2015072462 Art A1 21. Mai 2015

Anmelder: Central Research Institute of Electric Power Industry, Denso Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015072462
Aktenzeichen: EP14862608
Anmeldetag: 11. November 2014
Veröffentlichung: 21. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Central Research Institute of Electric Power Industry
Denso Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

13.239 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von