Ordered growth of large crystal graphene by laser-based localized heating for high throughput production

WO2015072927 Art A1 21. Mai 2015

Anmelder: National University of Singapore 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015072927
Aktenzeichen: EP14861404
Anmeldetag: 17. November 2014
Veröffentlichung: 21. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C01B31/04B23K26/50B01J19/08C30B29/02B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National University of Singapore
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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