Method of depositing a low-temperature, no-damage hdp sic-like film with high wet etch resistance

WO2015073188 Art A1 21. Mai 2015

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015073188
Aktenzeichen: EP14861790
Anmeldetag: 24. Oktober 2014
Veröffentlichung: 21. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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