Transistor manufacturing method and transistor

WO2015076334 Art A1 28. Mai 2015

Anmelder: Nikon Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015076334
Aktenzeichen: EP14863830
Anmeldetag: 20. November 2014
Veröffentlichung: 28. Mai 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336C23C18/31C23C18/32C23C28/00H01L21/28H01L21/288H01L21/3205H01L21/768H01L29/41H01L29/786H01L51/05

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nikon Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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