High consistency and low power consumption resistive memory and preparation method thereof

WO2015078120 Art A1 4. Juni 2015

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015078120
Aktenzeichen: EP14866227
Anmeldetag: 31. März 2014
Veröffentlichung: 4. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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