Method for producing metal oxide film, metal oxide film, thin-film transistor, display device, image sensor, and x-ray sensor

WO2015083500 Art A1 11. Juni 2015

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015083500
Aktenzeichen: EP14867214
Anmeldetag: 10. November 2014
Veröffentlichung: 11. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/368G01T1/24H01L21/336H01L27/144H01L27/146H01L29/786H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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