High-sensitivity sensor comprising conductive thin film containing cracks and method for manufacturing same
WO2015084061
Art A1
11. Juni 2015
Anmelder: Global Frontier Center for Multiscale Energy Systems, Seoul National University R&DB Foundation 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015084061
- Aktenzeichen
- EP14867782
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01B5/14H01B13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Global Frontier Center for Multiscale Energy Systems
Seoul National University R&DB Foundation - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
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