A method for producing a reduced reverse leakage current trenched schottky diode

WO2015084155 Art A1 11. Juni 2015

Anmelder: Mimos Berhad 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015084155
Aktenzeichen: EP14784540
Anmeldetag: 30. Juni 2014
Veröffentlichung: 11. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/329H01L29/872H01L29/47

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Firma: Mimos Berhad
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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