Method of forming insulated sidewall gate electrode for vertical field effect transistor

WO2015085106 Art A1 11. Juni 2015

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015085106
Aktenzeichen: EP14821012
Anmeldetag: 4. Dezember 2014
Veröffentlichung: 11. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/423H01L29/66H01L29/775H01L29/78H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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