Semiconductor device, and method for producing same

WO2015087483 Art A1 18. Juni 2015

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015087483
Aktenzeichen: EP14870583
Anmeldetag: 10. November 2014
Veröffentlichung: 18. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861H01L21/329H01L21/8234H01L27/04H01L27/06H01L29/78H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von