Defect density evaluation method for silicon single-crystal substrate

WO2015087485 Art A1 18. Juni 2015

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015087485
Aktenzeichen: EP14869729
Anmeldetag: 12. November 2014
Veröffentlichung: 18. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66G01N27/00G01N27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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