Method for preparing quasi soi source/drain field effect transistor device

WO2015089951 Art A1 25. Juni 2015

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015089951
Aktenzeichen: EP14872126
Anmeldetag: 31. März 2014
Veröffentlichung: 25. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

Peking University ist eine chinesische Eliteuniversität in Peking mit breiter Forschung und Patenten in zahlreichen Technologiefeldern, unter anderem Biotechnologie und Materialwissenschaften.

639 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von