Method for manufacturing quasi-soi source/drain multi-gate device

WO2015089952 Art A1 25. Juni 2015

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015089952
Aktenzeichen: EP14872136
Anmeldetag: 31. März 2014
Veröffentlichung: 25. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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