Method for manufacturing sic wafer, method for manufacturing sic semiconductor, and graphite silicon carbide composite substrate

WO2015093550 Art A1 25. Juni 2015

Anmelder: Ibiden Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015093550
Aktenzeichen: EP14870750
Anmeldetag: 17. Dezember 2014
Veröffentlichung: 25. Juni 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02B23K20/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Ibiden Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Ibiden

Ibiden ist ein japanischer Hersteller elektronischer Materialien mit Sitz in Ogaki, spezialisiert auf IC-Substrate für Halbleiter sowie Keramikprodukte für die Automobil- und Elektronikindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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