Method for testing junction temperature of semiconductor device

WO2015096061 Art A1 2. Juli 2015

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015096061
Aktenzeichen: EP13900194
Anmeldetag: 25. Dezember 2013
Veröffentlichung: 2. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: G01K7/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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