Low-temperature polycrystalline silicon thin film and preparation method therefor, thin-film transistor and display device

WO2015096320 Art A1 2. Juli 2015

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015096320
Aktenzeichen: EP14875105
Anmeldetag: 23. April 2014
Veröffentlichung: 2. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/336H01L29/04H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BOE Technology Group Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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