Method for forming single crystal sic epitaxial film

WO2015097852 Art A1 2. Juli 2015

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015097852
Aktenzeichen: EP13899990
Anmeldetag: 27. Dezember 2013
Veröffentlichung: 2. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B19/04C30B25/20C30B29/36H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

274 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von