Method for manufacturing insulated gate-type semiconductor device, and insulated gate-type semiconductor device

WO2015098167 Art A1 2. Juli 2015

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015098167
Aktenzeichen: EP14875184
Anmeldetag: 4. August 2014
Veröffentlichung: 2. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/265H01L29/06H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.492 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von