Formulations to selectively etch silicon and germanium
WO2015103146
Art A1
9. Juli 2015
Anmelder: Entegris, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015103146
- Aktenzeichen
- EP14876819
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Entegris, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Entegris
US-amerikanischer Hersteller von Spezialmaterialien und Filtrationslösungen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Massachusetts.
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