High efficiency inductively coupled plasma source with customized rf shield for plasma profile control

WO2015103521 Art A1 9. Juli 2015

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015103521
Aktenzeichen: EP15733171
Anmeldetag: 5. Januar 2015
Veröffentlichung: 9. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/34H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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