Resonant tunneling diode element and non-volatile memory

WO2015105123 Art A1 16. Juli 2015

Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015105123
Aktenzeichen: EP15735224
Anmeldetag: 7. Januar 2015
Veröffentlichung: 16. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/329H01L27/10H01L27/105H01L29/06H01L29/88H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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