Method for forming low emissivity doped zinc oxide films on a substrate
WO2015105460
Art A2
16. Juli 2015
Anmelder: Agency for Science, Technology and Research 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015105460
- Aktenzeichen
- EP15735022
- Anmeldetag
- 13. Januar 2015
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C03C17/23
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Agency for Science, Technology and Research
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
Agency for Science, Technology and Research
Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.
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