Development of high etch selective hardmask material by ion implantation into amorphous carbon films

WO2015105651 Art A1 16. Juli 2015

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015105651
Aktenzeichen: EP14877682
Anmeldetag: 18. Dezember 2014
Veröffentlichung: 16. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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