Trench multilevel contact to a 3d memory array and method of making thereof

WO2015105709 Art A1 16. Juli 2015

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015105709
Aktenzeichen: EP14827694
Anmeldetag: 30. Dezember 2014
Veröffentlichung: 16. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L27/06H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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