Ingaas film grown on si substrate and method for manufacturing same

WO2015106608 Art A1 23. Juli 2015

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015106608
Aktenzeichen: EP14878472
Anmeldetag: 5. Dezember 2014
Veröffentlichung: 23. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0304H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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