Verfahren zur Herstellung einer Lateral Strukturierten Phosphorschicht und Optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer Solchen Phosphorschicht

WO2015107211 Art A1 23. Juli 2015

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015107211
Aktenzeichen: EP15700499
Anmeldetag: 20. Januar 2015
Veröffentlichung: 23. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C25D7/00C25D13/02C25D13/12C25D13/22H01L33/50H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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