Gan substrate, method for producing gan substrate, method for producing gan crystal, and method for manufacturing semiconductor device

WO2015107813 Art A1 23. Juli 2015

Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015107813
Aktenzeichen: EP14878982
Anmeldetag: 11. Dezember 2014
Veröffentlichung: 23. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38H01L21/205H01L29/20H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsubishi Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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