Nitrogen Oxide Abatement in Semiconductor Fabrication
WO2015108660
Art A1
23. Juli 2015
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015108660
- Aktenzeichen
- EP14878972
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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