Improved Storage in Charge-Trap Memory Structures Using Additional Electrically-Charged Regions

WO2015108742 Art A1 23. Juli 2015

Anmelder: Apple Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015108742
Aktenzeichen: EP15700620
Anmeldetag: 8. Januar 2015
Veröffentlichung: 23. Juli 2015
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/56G11C16/04H01L27/115H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Apple Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Apple

US-amerikanisches Unternehmen, das Unterhaltungselektronik wie iPhone, iPad und Mac sowie zugehörige Betriebssysteme, Software und digitale Dienste entwickelt und vertreibt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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