Method for recovering and purifying argon gas from single-crystal-silicon production device, and device for recovering and purifying argon gas
WO2015115031
Art A1
6. August 2015
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015115031
- Aktenzeichen
- EP15743155
- Anmeldetag
- 14. Januar 2015
- Veröffentlichung
- 6. August 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B23/00B01D53/04B01D53/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Vertreten von
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