Nitride Semiconductor Element

WO2015115266 Art A1 6. August 2015

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015115266
Aktenzeichen: EP15742542
Anmeldetag: 21. Januar 2015
Veröffentlichung: 6. August 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L31/0236H01L33/16H01L33/22H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.804 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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