Thin-film transistor, oxide semiconductor, and method for producing same
WO2015115330
Art A1
6. August 2015
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2015115330
- Aktenzeichen
- EP15743872
- Anmeldetag
- 23. Januar 2015
- Veröffentlichung
- 6. August 2015
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/336H01L21/363H01L29/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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