Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate reactive post mask-opening clean

WO2015116457 Art A1 6. August 2015

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015116457
Aktenzeichen: EP15743755
Anmeldetag: 21. Januar 2015
Veröffentlichung: 6. August 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/301H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.794 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von