Integration of ald barrier layer and cvd ru liner for void-free cu filling

WO2015117150 Art A1 6. August 2015

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015117150
Aktenzeichen: EP15742541
Anmeldetag: 3. Februar 2015
Veröffentlichung: 6. August 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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