Silicon oxynitride film, method for producing same and transistor

WO2015119001 Art A1 13. August 2015

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015119001
Aktenzeichen: EP15745837
Anmeldetag: 28. Januar 2015
Veröffentlichung: 13. August 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/473H01L21/336H01L29/786H01L21/318H01L21/471

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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