Tunnel magnetoresistive effect element manufacturing method and sputtering apparatus

WO2015121905 Art A1 20. August 2015

Anmelder: Canon Anelva Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2015121905
Aktenzeichen
EP14882351
Anmeldetag
14. November 2014
Veröffentlichung
20. August 2015
Rechtsraum
WO
IPC
H01L43/12C23C14/08C23C14/34G11B5/39H01F10/32H01F41/18H01L21/8246H01L27/105H01L43/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Canon Anelva Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Canon Anelva

Canon Anelva ist ein japanischer Hersteller von Vakuum- und Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie und Teil des Canon-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Oberflächentechnik, ergänzt um Schaltungstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2024 ab.

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