Gate drive circuit and power supply device

WO2015122483 Art A1 20. August 2015

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015122483
Aktenzeichen: EP15749441
Anmeldetag: 13. Februar 2015
Veröffentlichung: 20. August 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H02M1/08H02M3/155H02M3/28H02M7/5387

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik

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