Verfahren zur Herstellung einer Nitrid-Verbindungshalbleiterschicht

WO2015124495 Art A1 27. August 2015

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015124495
Aktenzeichen: EP15703794
Anmeldetag: 12. Februar 2015
Veröffentlichung: 27. August 2015
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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